4N60L-TN3-R

Name: Unisonic Technologies Co Ltd 4N60L-TN3-R
Brand: Unisonic Technologies Co Ltd
Rating: 4.6 (12 reviews)

Unisonic Technologies Co Ltd
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Код упаковки компонента：TO-252
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Максимальный ток утечки (ID)：4 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252
Сопротивление открытого канала-макс：2.5 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：16 A
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：260 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W

Со склада 0

Итого $0.00000