SI7170DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7170DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 5 (9 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：0201
Case - mm：0603
Capacitors series：KGM
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：28.5 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Допуск：±5%
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Капацитивность：22pF
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Диэлектрик：C0G (NP0)
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0034 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：70 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：80 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：48 W
Ток насыщения：1

Со склада 0

Итого $0.00000