Изображение служит лишь для справки
SI7956DP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 3641
- 1+: $0.99295
- 10+: $0.93675
- 100+: $0.88372
- 500+: $0.83370
- 1000+: $0.78651
Zwischensummenbetrag $0.99295
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:thermoplastic
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Purpose:Connecting and branching copper conductors
- Number of terals:2min
- Номинальное напряжение:450 V
- Максимальный ток:16 A
- Wire cross-section:0.5...2.5 (20...14AWG) mm2
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):2.6 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Цвет:white
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-XDSO-C6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.105 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):3.5 W
- Ток насыщения:1
Со склада 3641
- 1+: $0.99295
- 10+: $0.93675
- 100+: $0.88372
- 500+: $0.83370
- 1000+: $0.78651
Итого $0.99295