Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SI7956DP-T1-GE3

Lagernummer 3641

  • 1+: $0.99295
  • 10+: $0.93675
  • 100+: $0.88372
  • 500+: $0.83370
  • 1000+: $0.78651

Zwischensummenbetrag $0.99295

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:6 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал:thermoplastic
  • Количество терминалов:6
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:2
  • Purpose:Connecting and branching copper conductors
  • Number of terals:2min
  • Номинальное напряжение:450 V
  • Максимальный ток:16 A
  • Wire cross-section:0.5...2.5 (20...14AWG) mm2
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
  • Максимальный ток утечки (ID):2.6 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Цвет:white
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-XDSO-C6
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.105 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:150 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):3.5 W
  • Ток насыщения:1

Со склада 3641

  • 1+: $0.99295
  • 10+: $0.93675
  • 100+: $0.88372
  • 500+: $0.83370
  • 1000+: $0.78651

Итого $0.99295