(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFL014N
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Максимальный ток утечки (ID)：1.9 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Gross Weight：2.22
- Transport Package Size/Quantity：42*28*18.5/2000
- Tested for One Minute：~ 500V
- Enhanced Relative Importance at 35°C：95%
- Сила：1 - 30 N
- Number of Mate/Unmate Cycles：500
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Изоляционный сопротивление：100 MOhm Min
- Напряжение：~ 50V
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-261AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.16 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Зарядный ток：0.3 A
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
