Изображение служит лишь для справки






IRFR3704Z
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:through hole
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Long-term Frequency Instability (Aging):max. ± 5 ppm/ year
- Gross Weight:0.59
- Transport Package Size/Quantity:42*28*18.5/5000
- Пакет:miniature - US size
- Deviation:± 30 ppm temperature characteristic (-20…+70 °C)
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):30 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Тип:HC49 Quartz Resonator
- Сопротивление:ESR max - 50 Ohm
- Капацитивность:16 pF
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Частота:6 MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Частотная стабильность:± 20 (at T=25 °C) ppm
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Изоляционный сопротивление:500 (at Uappl.dc=100 V) MOhm min
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Диапазон рабочей температуры:-20…+70 °C
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0084 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:240 A
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):41 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000