Изображение служит лишь для справки
NDS355AN
- National Semiconductor Corporation
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0016A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:SUPERSOT-3
- Максимальный ток утечки (ID):0.0016 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Type of integrated circuit:STM32 ARM microcontroller
- Монтаж:SMD
- Number of inputs/outputs:53
- Case:VFQFPN68
- Kind of architecture:Cortex M33
- Память:640kB SRAM
- Number of 12bit A/D converters:16
- Number of 12bit D/A converters:2
- Number of 16bit timers:18
- Number of 32bit timers:2
- Kind of package:in-tray
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Семейство:STM32H5
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.5 W
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000