Изображение служит лишь для справки
PSMN1R2-30YLD
- Nexperia
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of integrated circuit:STM32 ARM microcontroller
- Монтаж:SMD
- Number of inputs/outputs:35
- Case:UFQFPN48
- Kind of architecture:Cortex M33
- Память:272kB RAM
- Number of 12bit A/D converters:2
- Number of 12bit D/A converters:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NEXPERIA
- Описание пакета:SOP-8, 4 PIN
- Date Of Intro:2017-02-17
- Максимальный ток утечки (ID):100 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Семейство:STM32H5
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:MO-235
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0016 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:1181 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):961 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000