Изображение служит лишь для справки

BYW96E

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:EIC SEMICONDUCTOR CO LTD
  • Код упаковки компонента:DO-201AD
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
  • Максимальное напряжение включения:1.5 V
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:diode/transistor
  • Max. off-state voltage:1.2kV
  • Сборный ток:400A
  • Case:SEMITRANS3
  • Electrical mounting:FASTON connectors,
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:800A
  • Mechanical mounting:screw
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Число контактов:2
  • Код JESD-30:O-PALF-W2
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:RECTIFIER DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Топология:boost chopper
  • Выводная мощность-макс:3 A
  • Количество фаз:1
  • Максимальное обратное напряжение:1000 V
  • Код JEDEC-95:DO-201AD
  • Максимальная прямая сила тока в пакете:70 A
  • Максимальный обратный ток:5 μA
  • Время обратной восстановительной максимальная:0.3 μs
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,

Со склада 0

Итого $0.00000