SI7117DN-T1-E3

Name: Vishay Intertechnologies SI7117DN-T1-E3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.5 (7 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet

Lagernummer 101137

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал：aluminium
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Максимальный ток утечки (ID)：1.1 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Type of heatsink：extruded
Heatsink shape：U
Material finishing：raw
Монтаж：for back plate
Internal width：26.2mm
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：1.3 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：2.2 A
Минимальная напряжённость разрушения：150 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1.01 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：12.5 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：LED
Ток насыщения：1
Длина：1m
Ширина：53.9mm
Высота：34.4mm

Со склада 101137

Итого $0.00000