Изображение служит лишь для справки
SI8851EDB-T2-E1
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor
- Date Sheet
Lagernummer 3014
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:30
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of enclosure:multipurpose
- Dimension X:208mm
- Dimension Y:208mm
- Dimension Z:56mm
- Enclosure series:AUG
- Материал корпуса:aluminium
- Body colour:black
- Side colour:grey
- Размеры:See
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:GRID ARRAY, R-PBGA-B30
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:GRID ARRAY
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PBGA-B30
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0086 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 3014
Итого $0.00000