IRFBE30SPBF

Name: Vishay Intertechnologies IRFBE30SPBF
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (6 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Date Sheet

Lagernummer 44

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Материал：silicone
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Максимальный ток утечки (ID)：4.1 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Type of enclosures accessories：case ring
Enclosure series：LC
Related items：TKC-LC135,
Frame colour：light grey
Quantity in set/package：2pcs.
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：3 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：16 A
Минимальная напряжённость разрушения：800 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：260 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Ток насыщения：1

Со склада 44

Итого $0.00000