SI7998DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7998DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.5 (18 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0093ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 6517

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：15 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Type of mounting element：lever
Kind of toggle：adjustable
Длина шейки：50mm
Knob height：31mm
Body colour：black
Внешний шеврон：M6
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-XDSO-C6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0093 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：60 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
Ток насыщения：1

Со склада 6517

Итого $0.00000