Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SI7489DP-T1-E3

Lagernummer 71

  • 1+: $2.36679
  • 10+: $2.23282
  • 100+: $2.10643
  • 500+: $1.98720
  • 1000+: $1.87472

Zwischensummenbetrag $2.36679

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:10 Weeks, 4 Days
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:POWERPAK SO-8
  • Максимальный ток утечки (ID):28 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Время отключения макс. (toff):315 ns
  • Время включения макс. (ton):55 ns
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:FLAT
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PDSO-F8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.041 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:40 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:100 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):61 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):83 W
  • Ток насыщения:1

Со склада 71

  • 1+: $2.36679
  • 10+: $2.23282
  • 100+: $2.10643
  • 500+: $1.98720
  • 1000+: $1.87472

Итого $2.36679