Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SIR474DP-T1-GE3

Lagernummer 2426

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Not Recommended
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8
  • Максимальный ток утечки (ID):15 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:R-PDSO-C8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0095 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:50 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):20 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):29.8 W
  • Ток насыщения:1

Со склада 2426

Итого $0.00000