(0)
Изображение служит лишь для справки
SI7223DN-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 17994
- 1+： $0.81174
- 10+： $0.76579
- 100+： $0.72245
- 500+： $0.68155
- 1000+： $0.64298
Zwischensummenbetrag $0.81174
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：6 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：110 ns
- Время включения макс. (ton)：96 ns
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：S-PDSO-F8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0264 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：9.8 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：23 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：152 pF
- Ток насыщения：1
Со склада 17994
- 1+： $0.81174
- 10+： $0.76579
- 100+： $0.72245
- 500+： $0.68155
- 1000+： $0.64298
Итого $0.81174
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
