(0)
Изображение служит лишь для справки
RN1102,LF
-
Toshiba America Electronic Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：6 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.1 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
