Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ST12N10D-VB
Изображение служит лишь для справки
ST12N10D-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 15A 96W 114mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 88
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Power Dissipation (Pd)：96W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：114mΩ@10V,3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 88
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты