Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SVT13N06SA
Изображение служит лишь для справки
SVT13N06SA
-
Hangzhou Silan Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 13A 4.6W 11mΩ@10V,13A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Power Dissipation (Pd)：4.6W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,13A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты