Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MDD16N65F
Изображение служит лишь для справки
MDD16N65F
- MDD(Microdiode Semiconductor)
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 16A 44W 480mΩ@10V,8A 2V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Drain Source Voltage (Vdss):650V
- Power Dissipation (Pd):44W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):15pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):2640pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):53.9nC@10V
- Тип:1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000