Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NCV8406DD1CR2G
Изображение служит лишь для справки
NCV8406DD1CR2G
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOIC-8
- MOSFETs AUTOMOTIVE SMARTFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOIC-8
- РХОС：RoHS Compliant
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 VDC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：210 mOhms
- Усв：- 14 V, + 14 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：1.2 W
- Режим канала：Enhancement
- Производственный партионный объем：2500
- Время задержки отключения типичного：1600 ns
- Время типичного задержки включения：127 ns
- Пакетирование：Reel
- Серия：NCV8406DD1CR2G
- Конфигурация：Dual
- Каналов количество：2 Channel
- Время подъема：486 ns
- Тип транзистора：2-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты