PUMD13,115

Name: Nexperia USA Inc. PUMD13,115
Brand: Nexperia USA Inc.
Price: 0.040358 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (12 reviews)

Nexperia USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Date Sheet

Lagernummer 120000

1+： $0.04036
10+： $0.03807
100+： $0.03592
500+： $0.03389
1000+： $0.03197

Zwischensummenbetrag $0.04036

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：100
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MD13
Число контактов：6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN, PNP
Распад мощности：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
База (R1)：4.7k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
Диапазон температур окружающей среды (высокий)：150°C
Высота：1.1mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 120000

1+： $0.04036
10+： $0.03807
100+： $0.03592
500+： $0.03389
1000+： $0.03197

Итого $0.04036