(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PUMH20,115
Изображение служит лишь для справки
PUMH20,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- PEMH20; PUMH20 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Date Sheet
Lagernummer 801
- 1+： $0.05080
- 10+： $0.04793
- 100+： $0.04521
- 500+： $0.04265
- 1000+： $0.04024
Zwischensummenbetrag $0.05080
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2005
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：300mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 20mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- База (R1)：2.2k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 801
- 1+： $0.05080
- 10+： $0.04793
- 100+： $0.04521
- 500+： $0.04265
- 1000+： $0.04024
Итого $0.05080
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
