Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PUMD6,115
Изображение служит лишь для справки
PUMD6,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 3508
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：2
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTOR
- HTS Code：8541.21.00.95
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：P*MD6
- Pin Count：6
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN, PNP
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：300mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 1mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V
- Resistor - Base (R1)：4.7k Ω
- VCEsat-Max：0.3 V
- Collector-Base Capacitance-Max：3.5pF
- Power Dissipation Ambient-Max：0.4W
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 3508
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты