(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMH11FHAT2R
Изображение служит лишь для справки
EMH11FHAT2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Date Sheet
Lagernummer 47
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Направленность：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：10k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω
- REACH SVHC：Unknown
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 47
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
