Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMD6FHAT2R
Изображение служит лишь для справки
EMD6FHAT2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Date Sheet
Lagernummer 6310
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：2
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Published：2016
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PDSO-F6
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：150mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN AND PNP
- Transistor Type：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V
- Transition Frequency：250MHz
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：4.7k Ω
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 6310
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты