(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1911FETE85LF
Изображение служит лишь для справки
RN1911FETE85LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Date Sheet
Lagernummer 2819
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：120
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Dual
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- База (R1)：10k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 2819
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
