Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC143ZT,215
Изображение служит лишь для справки
PDTC143ZT,215
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Nexperia, PDTC143ZT, 215 NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 4.7 kO, Ratio Of 0.1, 3-Pin SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 7780
- 1+： $0.01104
- 10+： $0.01042
- 100+： $0.00983
- 500+： $0.00927
- 1000+： $0.00875
Zwischensummenbetrag $0.01104
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
- HTS Code：8541.21.00.95
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DTC143
- Pin Count：3
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：250mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V
- Frequency - Transition：230MHz
- Resistor - Base (R1)：4.7 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47 k Ω
- Power Dissipation Ambient-Max：0.25W
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 7780
- 1+： $0.01104
- 10+： $0.01042
- 100+： $0.00983
- 500+： $0.00927
- 1000+： $0.00875
Итого $0.01104
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты