(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA115TET1G
Изображение служит лишь для справки
DTA115TET1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 2827
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：160
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：3
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Без галогенов：Halogen Free
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- База (R1)：100 k Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2827
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
