Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2119MFV,L3F
Изображение служит лишь для справки
RN2119MFV,L3F
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Date Sheet
Lagernummer 110
- 1+: $0.10884
- 10+: $0.10268
- 100+: $0.09687
- 500+: $0.09138
- 1000+: $0.08621
Zwischensummenbetrag $0.10884
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-723
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:150mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- База (R1):1 k Ω
Со склада 110
- 1+: $0.10884
- 10+: $0.10268
- 100+: $0.09687
- 500+: $0.09138
- 1000+: $0.08621
Итого $0.10884