Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2311,LF
![](https://static.whisyee.com/dimg/toshibasemiconductorandstorage-df3a36fute85lf-7365.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
RN2311,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Date Sheet
Lagernummer 4832
- 1+: $0.10884
- 10+: $0.10268
- 100+: $0.09687
- 500+: $0.09138
- 1000+: $0.08621
Zwischensummenbetrag $0.10884
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:100mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:200MHz
- База (R1):10 k Ω
Со склада 4832
- 1+: $0.10884
- 10+: $0.10268
- 100+: $0.09687
- 500+: $0.09138
- 1000+: $0.08621
Итого $0.10884