Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2417(TE85,LF)
Изображение служит лишь для справки
RN2417(TE85,LF)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
- Date Sheet
Lagernummer 282
- 1+: $0.05966
- 10+: $0.05628
- 100+: $0.05310
- 500+: $0.05009
- 1000+: $0.04725
Zwischensummenbetrag $0.05966
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:200MHz
- База (R1):10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):4.7 k Ω
Со склада 282
- 1+: $0.05966
- 10+: $0.05628
- 100+: $0.05310
- 500+: $0.05009
- 1000+: $0.04725
Итого $0.05966