Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC114TU3HZGT106
![](https://static.whisyee.com/fimg/rohmsemiconductor-dtc114tu3hzgt106-6277.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DTC114TU3HZGT106
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- DTC114TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
Date Sheet
Lagernummer 1648
- 1+: $0.23523
- 10+: $0.22192
- 100+: $0.20936
- 500+: $0.19751
- 1000+: $0.18633
Zwischensummenbetrag $0.23523
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Digi-Reel®
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):10 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 1648
- 1+: $0.23523
- 10+: $0.22192
- 100+: $0.20936
- 500+: $0.19751
- 1000+: $0.18633
Итого $0.23523