(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2415(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN2415(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Toshiba, RN2415(TE85L,F) PNP Digital Transistor, 100 mA 50 V 2.2 k, Ratio Of 0.22, 3-Pin SC-59
Date Sheet
Lagernummer 32
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：200mW
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Частота - Переход：200MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
- База (R1)：2.2 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
- Высота：1.1mm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.5mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 32
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
