(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC123EU3HZGT106
Изображение служит лишь для справки
DTC123EU3HZGT106
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 2388
- 1+： $0.10441
- 10+： $0.09850
- 100+： $0.09292
- 500+： $0.08766
- 1000+： $0.08270
Zwischensummenbetrag $0.10441
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 20mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：2.2 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2 k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2388
- 1+： $0.10441
- 10+： $0.09850
- 100+： $0.09292
- 500+： $0.08766
- 1000+： $0.08270
Итого $0.10441
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
