DDTD113EC-7-F

Name: Diodes Incorporated DDTD113EC-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.5 (9 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 6069

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：33
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DTD113
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：33 @ 50mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：200MHz
База (R1)：1 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：500mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：1 k Ω
Высота：1mm
Длина：3.05mm
Ширина：1.4mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 6069

Итого $0.00000