Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC124EU3HZGT106
![](https://static.whisyee.com/dimg/rohmsemiconductor-2sc4098t106p-2615.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DTC124EU3HZGT106
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- DTC124EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
Date Sheet
Lagernummer 2798
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:56 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):22 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):22 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2798
Итого $0.00000