(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC115TCAT116
Изображение служит лишь для справки
DTC115TCAT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- DTC115TCA IS AN DIGITAL TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 2440
- 1+： $0.21901
- 10+： $0.20661
- 100+： $0.19492
- 500+： $0.18389
- 1000+： $0.17348
Zwischensummenbetrag $0.21901
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Digi-Reel®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 100μA, 1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：100 k Ω
- Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2440
- 1+： $0.21901
- 10+： $0.20661
- 100+： $0.19492
- 500+： $0.18389
- 1000+： $0.17348
Итого $0.21901
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
