Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные MUN5133T1G
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-nup2125wtt1g-9487.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
MUN5133T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Date Sheet
Lagernummer 664
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя:11 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2009
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:202mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:MUN51**T
- Число контактов:3
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:310mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Без галогенов:Halogen Free
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 300μA, 10mA
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- База (R1):4.7 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 664
Итого $0.00000