BCR192E6327HTSA1

Name: Infineon Technologies BCR192E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (19 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 800047

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：70
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BCR192
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Not Halogen Free
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：200MHz
Частота - Переход：200MHz
База (R1)：22 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 800047

Итого $0.00000