Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DDTB114GU-7-F
Изображение служит лишь для справки
DDTB114GU-7-F
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Date Sheet
Lagernummer 20000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-70, SOT-323
- Number of Pins：3
- Weight：6.010099mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：56
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTOR
- HTS Code：8541.21.00.75
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DTB114
- Pin Count：3
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Transistor Type：PNP - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：56 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：200MHz
- Continuous Collector Current：500mA
- Resistor - Emitter Base (R2)：10 k Ω
- Height：1mm
- Length：2.2mm
- Width：1.35mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 20000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты