Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC114EEFRATL
Изображение служит лишь для справки
DTC114EEFRATL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Date Sheet
Lagernummer 8374
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-75, SOT-416
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Published：2011
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Max Power Dissipation：150mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：DTC114
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：150mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：50mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500nA, 10mA
- Transition Frequency：250MHz
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：10 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：10 k Ω
- REACH SVHC：Unknown
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 8374
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты