Изображение служит лишь для справки
MBM150GS6AW
-
Hitachi
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：7
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Turn-on Time-Nom (ton)：300 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：600 ns
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：MBM150GS6AW
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Hitachi Ltd
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：HITACHI LTD
- Risk Rank：5.22
- Additional Feature：HIGH SPEED, LOW NOISE
- Subcategory：Insulated Gate BIP Transistors
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-XUFM-X7
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：POWER CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Power Dissipation-Max (Abs)：450 W
- Collector Current-Max (IC)：150 A
- Collector-Emitter Voltage-Max：600 V
- Gate-Emitter Voltage-Max：20 V
- VCEsat-Max：2.5 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты