(0)
Изображение служит лишь для справки
MBM150GS6AW
-
Hitachi
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：300 ns
- Время отключения (toff)：600 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：MBM150GS6AW
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Hitachi Ltd
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：HITACHI LTD
- Ранг риска：5.22
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED, LOW NOISE
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：450 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：150 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.5 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
