Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ220L
Изображение служит лишь для справки
2SJ220L
-
Hitachi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：2SJ220(L)
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Hitachi Ltd
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：HITACHI LTD
- Risk Rank：5.32
- Drain Current-Max (ID)：20 A
- ECCN Code：EAR99
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：20 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.13 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80 A
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：75 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты