BSP171PL6327XT

Name: Infineon BSP171PL6327XT
Brand: Infineon
Rating: 4.7 (8 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
Date Sheet

Lagernummer 3620

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Compliant
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：40
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BSP171PL6327XT
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.68
Максимальный ток утечки (ID)：1.9 A
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.3 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：7.6 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：70 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 3620

Итого $0.00000