Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFI064
Изображение служит лишь для справки
IRFI064
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA,
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Compliant
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:METAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:IRFI064
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.18
- Максимальный ток утечки (ID):45 A
- Пакетирование:Bulk
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-MSFM-P3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:300 W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):45 A
- Код JEDEC-95:TO-259AA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Максимальный сливовой ток (ID):45 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.017 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку:60 V
- Максимальный импульсный ток вывода:400 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):620 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):300 W
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 0
Итого $0.00000