Изображение служит лишь для справки

IRFI064

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Through Hole
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:3
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Compliant
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:IRFI064
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Infineon Technologies AG
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Ранг риска:5.18
  • Максимальный ток утечки (ID):45 A
  • Пакетирование:Bulk
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Максимальная рабочая температура:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:PIN/PEG
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-MSFM-P3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Распад мощности:300 W
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Непрерывный ток стока (ID):45 A
  • Код JEDEC-95:TO-259AA
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
  • Максимальный сливовой ток (ID):45 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.017 Ω
  • Напряжение пробоя стока к истоку:60 V
  • Максимальный импульсный ток вывода:400 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):620 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):300 W
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 0

Итого $0.00000