Изображение служит лишь для справки
2N4912
-
Central Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- РХОС：Non-Compliant
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Частота：3 MHz
- Направленность：NPN
- Распад мощности：25 W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты