Изображение служит лишь для справки
RN4988FE(TE85L,F)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Диэлектрический пробой напряжение：50 V
- РХОС：Compliant
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Максимальная потеря мощности：100 mW
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300 mV
- Максимальный ток сбора：100 mA
- Частота перехода：250 MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты