Изображение служит лишь для справки
2SA1015-GRT
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TO-92
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- РХОС：Non-Compliant
- Температура работы-Макс：125 °C
- Траниционный частотный предел (fT)：80 MHz
- Артикул Производителя：2SA1015-GR(T)
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.61
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：400 mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация：Single
- Полярность/Тип канала：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50 V
- Максимальный ток сбора：150 mA
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.4 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.15 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：200
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты