Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK1R4F04PB,LXGQ
Изображение служит лишь для справки
TK1R4F04PB,LXGQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
- Date Sheet
Lagernummer 1228
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства:TO-220SM(W)
- Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:160A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:205W (Tc)
- Основной номер продукта:TK1R4F04
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Чувствительный к влажности:Yes
- Время типичного задержки включения:47 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Квалификация:AEC-Q101
- Распад мощности:205 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.037743 oz
- Минимальная температура работы:-
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:TK1R4F04PB,LXGQ(O
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Зарядная характеристика ворот:103 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.35 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:82 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:160 A
- Серия:U-MOSIX-H
- Рабочая температура:175°C
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.9mOhm @ 80A, 6V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5500 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:103 nC @ 10 V
- Время подъема:14 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 1228
Итого $0.00000