Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 1228

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Поставщик упаковки устройства:TO-220SM(W)
  • Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:160A (Ta)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
  • Максимальная мощность рассеяния:205W (Tc)
  • Основной номер продукта:TK1R4F04
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
  • Чувствительный к влажности:Yes
  • Время типичного задержки включения:47 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
  • Квалификация:AEC-Q101
  • Распад мощности:205 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Вес единицы:0.037743 oz
  • Минимальная температура работы:-
  • Пакетная партия производителя:1000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Режим канала:Enhancement
  • Партийные обозначения:TK1R4F04PB,LXGQ(O
  • Производитель:Toshiba
  • Бренд:Toshiba
  • Зарядная характеристика ворот:103 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.35 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:82 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:160 A
  • Серия:U-MOSIX-H
  • Рабочая температура:175°C
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.9mOhm @ 80A, 6V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 500μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5500 pF @ 10 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:103 nC @ 10 V
  • Время подъема:14 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Характеристика ТРП:-
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 1228

Итого $0.00000