Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHD3N50D-BE3
Изображение служит лишь для справки
SIHD3N50D-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 28620
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Supplier Device Package：TO-252AA
- Mfr：Vishay Siliconix
- Package：Tube
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：69W (Tc)
- Base Product Number：SIHD3
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：550 V
- Typical Turn-On Delay Time：12 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5 V
- Pd - Power Dissipation：69 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：0.011640 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SIHD3N50D-E3
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay / Siliconix
- Qg - Gate Charge：12 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：3.2 Ohms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：11 ns
- Id - Continuous Drain Current：3 A
- Series：D
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：Tube
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.2Ohm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：175 pF @ 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12 nC @ 10 V
- Rise Time：9 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：500 V
- Vgs (Max)：±30V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 28620
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты